真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法
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申请专利人：浙江师范大学
第一作者：彭保进
发明设计人：彭保进，应朝福，万旭，叶晶，刘蕴涛
所属单位：数理与信息工程学院
专利类型：发明专利
专利说明：本发明涉及一种真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法。它采用可蒸镀 各种高低熔点的金属和氧化物材料的真空镀膜机，SiO 2 基片经抛光打磨； 氨水：双氧水：去离子水混合液煮沸，去离子水冲净；盐酸：双氧水：去离子水 混合液煮沸去离子水冲净；超声波和无超声波去离子水介质常温、加温抛 洗；入氮气炉烘干；在真空舱内离子枪轰击表面清洗。在低气压环境下， 对玻璃基片附加磁铁，使待镀玻璃基片在镀膜的整个过程始终处于稳定磁 场当中，并用补偿式控制蒸镀薄膜材料的原子量比，使蒸镀制得的成品薄 膜的合金成分与期望比例一致性好的短方向
申请日期：2008-09-04
申请号：200810120431.6
公开日期：2010-03-10
授权日期：2013-09-04
授权号：CN101665911B
是否职务专利：否