真空蒸镀制合金薄膜用SiO<sub>2</sub>基片清洗方法
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申请专利人：浙江师范大学
第一作者：彭保进
发明设计人：彭保进，应朝福，万旭，叶晶，刘蕴涛
所属单位：数理与信息工程学院
专利类型：发明专利
专利说明：本发明涉及一种真空蒸镀制合金薄膜用SiO 2 基片清洗方法。它是(1)将 基片抛光粉打磨；(2)放置于配比为：氨水∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～ 3∶5～6的清洗液,煮沸10～20分钟,再用去离子水冲洗干净；(3)再置于容 器中加入比为：盐酸∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～3∶8～10的清洗液中, 同样煮沸10～12分钟后用去离子水冲洗干净；(4)再放入超声波清洗机中, 用去离子水为清洗介质,采用常温和控制在50～75℃超声波抛动清洗和无 超声波抛
申请日期：2008-09-04
申请号：200810120429.9
公开日期：2010-03-10
是否职务专利：否
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