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第一作者 ： 陈达

发表时间 ： 2016-01-01

发表刊物 ： Chinese Physics B

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

期号 ： 第11期

页面范围 ： 534-539

ISSN ： 1674-1056

关键字 ： switching；annealing；Schottky；conduction；magnetron；insulator；annealed；amorphous；adjusting；wafer

摘要 ： Si-rich SiO_x and amorphous Si clusters embedded in SiO_x films were prepared by the radio-frequency magnetron cosputtering method and high-temperature annealing treatment.The threshold resistance switching behavior was achieved from the memory mode by co

是否译文 ： 否