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第一作者 ： Da

发表时间 ： 2017-01-01

发表刊物 ： Journal of Semiconductors

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： 第38卷

期号 ： 第4期

页面范围 ： 043002

ISSN ： 1674-4926

关键字 ： silicon；oxynitride；resistive；random；access；memory；oxygen；concentration

摘要 ： SiOxNy films with different oxygen concentrations were fabricated by reactive magnetron sputtering,and the resistive switching characteristics and conduction mechanism of Cu/SiOxNy/ITO devices were investigated.The Cu/SiOxNy/ITO device with SiOxNy deposit

是否译文 ： 否