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第一作者 ： Da Chen

发表时间 ： 2016-01-01

发表刊物 ： Surface Engineering and Applied Electrochemistry

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.52

期号 ： No.4

页面范围 ： 403-409

关键字 ： silicon;nitride;resistive;random;access;memory;temperature;dependence;of;resistive;switching;behavior

摘要 ： In this study, resistive switching behaviors of Ag/SiN/p + -Si device were investigated by adjusting nitrogen concentration and layer thickness. The device with a nitrogen concentration of 50% and a thickness of 10 nm has a typical bipolar resistive switc

是否译文 ： 否