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第一作者 ： Jiahua Zhang

发表时间 ： 2017-01-01

发表刊物 ： Journal of Semiconductors

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.38

期号 ： No.12

页面范围 ： 122003

ISSN ： 1674-4926

摘要 ： The influence of oxygen doping on resistive-switching characteristics of Ag/a-Si/p + -c-Si device was investigated. By oxygen doping in the growth process of amorphous silicon, the device resistive-switching performances, such as the ON/OFF resistance rat

是否译文 ： 否