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第一作者 ： 程佩红

发表时间 ： 2014-01-01

发表刊物 ： 半导体学报(英文版)

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： 第35卷

期号 ： 第10期

页面范围 ： 21-26

关键字 ： annealing；fabrication；sputtering；trapping；characterize；subsequent；saturation；magnetron；resolve；crystallize

摘要 ： The rapid thermal annealing(RTA) nano-crystallization method is widely used in the metal nanocrystal fabrication process. However, the high temperature(usually 600–900 ?C) in the RTA process will worsen the performance and reliability of devices. A novel

是否译文 ： 否