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第一作者 ： Da Chen

发表时间 ： 2016-01-01

发表刊物 ： Chinese Physics B

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.25

期号 ： No.11

页面范围 ： 117701

ISSN ： 1674-1056

关键字 ： threshold;resistance;switching;silicon-rich;SiO_x;thin;film;annealing

摘要 ： Si-rich SiO x  and amorphous Si clusters embedded in SiO x  films were prepared by the radio-frequency magnetron cosputtering method and high-temperature annealing treatment. The threshold resistance switching behavior was achieved from the memory mode by

是否译文 ： 否