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第一作者 ： Dong, J

发表时间 ： 2014-01-01

发表刊物 ： IEEE Transactions on Nanotechnology

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.13

期号 ： No.3

页面范围 ： 594-599

ISSN ： 1536-125X

关键字 ： Hafnium;oxide;resistive;random;access;memory;(ReRAM);temperature;dependence;of;the;off-state;and;the;on-state

摘要 ： O-2/Ar ratio and growth temperature during the deposition process of HfOx thin film have the significant effect on the OFF-state current of Al/HfOx/ITO devices. In order to enhance the quality of HfOx layer, HfOx thin film was sputtered at 300-700 K in a

是否译文 ： 否