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第一作者 ： Huang, Shihua

发表时间 ： 2013-01-01

发表刊物 ： IEEE Transactions on Electron Devices

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.60

期号 ： No.9

页面范围 ： 2741-2746

ISSN ： 0018-9383

关键字 ： Annealing;Dielectrics;Electron;traps;Leakage;currents;oxygen;annealing;Silicon;tantalum;oxide;film;Transient;analysis;transport;mechanism;Tunneling

摘要 ： Considering the influences of silicon (Si) surface potential and postannealing in oxygen ambient, a steady-state current model of Al\-SiOxNy double structure was proposed. For Ta2O5 layer with different technological history, the dominated conduction mech

是否译文 ： 否