点击量 ：

第一作者 ： 程佩红

发表时间 ： 2008-01-01

发表刊物 ： 半导体学报

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： 第29卷

期号 ： 第1期

页面范围 ： 110-116

关键字 ： Ge/Si量子阱；C-V特性法；迭代法

摘要 ： 采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布,并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性.C-V曲线上电容平台的存在是量子阱结构C-V特性的显著特征,它与量子阱结构参数有密切的关系.随着覆盖层厚度的减小,C-V曲线上平台起始点的电容值增加,并且向低电压方向移动直至其消失.随着量子阱中的掺杂浓度提高,阱中的载流子浓度也会相应增加,那就需要更高的外加电压才能耗尽阱中的载流子,因此平台宽度也就随着掺杂浓度的增加而增加.当覆盖层厚度

是否译文 ： 否