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第一作者 ： 陈勇跃

发表时间 ： 2011-01-01

发表刊物 ： 半导体技术

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

期号 ： 第6期

页面范围 ： 425-429，450

ISSN ： 1003-353X

关键字 ： Ta2O5薄膜；射频磁控溅射；C-V特性；退火；高介电常数

摘要 ： 用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理。用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观测到了C-V和(G/ω)-V的频散效应。认为串联电阻、Si/Ta2O5界面的界面态密度、边缘俘获是频散效应的主要原因,提取了界面态密度和边缘俘获电荷的大小。同时也研究了不同的退火温度对这些参数以及漏电流的影响,经600℃退火后,样品的电容最大,俘获电荷密度和漏电流最小,器件的电学性能最佳。

是否译文 ： 否