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第一作者 ： Shi-hua Huang

发表时间 ： 2014-01-01

发表刊物 ： Materials Research Bulletin

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.49

页面范围 ： 71–75

关键字 ： _1">Keywords;A.;Semiconductors;D.;Microstructure;D.;Electrical;properties

摘要 ： Abstract Al-induced a-Si crystallization process has been used to prepare polycrystalline Si (pc-Si) thin films on glass substrates. It has been found that the glass/Al/Al 2 O 3 /a-Si multilayer could be transformed into the structure of glass/Si/Al 2 O 3

是否译文 ： 否