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第一作者 ： 时利涛

发表时间 ： 2012-01-01

发表刊物 ： 半导体光电

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

期号 ： 第6期

页面范围 ： 846-849

ISSN ： 1001-5868

关键字 ： 磁控溅射；β-FeSi2；膜厚比

摘要 ： 采用磁控溅射的方法在Si衬底上生长Fe/Si多层膜,退火后形成了硅化物薄膜。利用X射线衍射（XRD）、Raman光谱、原子力显微镜（AFM）研究了Fe/Si膜厚比和退火温度对薄膜结构特性的影响。研究表明,当Fe/Si膜厚比为1/2,预先在衬底上沉积Fe缓冲层,退火温度为750℃,形成的硅化物为β-FeSi2,晶粒的平均尺寸大约为50nm,且分布得比较均匀。如果Fe/Si厚度比为1/1或3/10时,形成的硅化物为ε-FeSi。随着退火温度的升高,Fe/Si之间的相互扩散逐渐增强,当退火温度为1 000℃时,

是否译文 ： 否