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第一作者 ： Huang, Shihua

发表时间 ： 2006-01-01

发表刊物 ： Semiconductor Science and Technology

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.21

期号 ： NO.6

页面范围 ： 729-733

ISSN ： 0268-1242

关键字 ： PHOTOEXCITED;CARRIERS;SILICON;GAAS;PULSES;SEMICONDUCTORS;GERMANIUM;PLASMA;FILMS

摘要 ： Microcrystalline SiGe was obtained by using laser-induced crystallizing a-SiGe films deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition. The dynamics of dense electron–hole plasma in SiGe films, subsequent to photoexcitation by a 150 fs optical pulse

是否译文 ： 否