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第一作者 ： SHIHUA HUANG

发表时间 ： 2006-01-01

发表刊物 ： Modern Physics Letters B

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.20

期号 ： No.28

页面范围 ： 1825-1832

ISSN ： 0217-9849

关键字 ： Nickel;silicide;Sckottky;barrier;inhomogeneity;the;internal;photoemission;annealing;73.30.+y;(PACS);73.40.Ns;(PACS)

摘要 ： The inhomogeneity of Schottky barrier height (SBH) in nickel silicide/Si silicide/Si <600°C  is 600°C, SBH becomes maximal, then decreases monotonously with the increase of annealing temperature in the case of T annealing. The formati

是否译文 ： 否