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第一作者 ： Huang, SH

发表时间 ： 2006-01-01

发表刊物 ： Applied Surface Science

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.252

期号 ： NO.12

页面范围 ： 4027-4032

ISSN ： 0169-4332

关键字 ： nickel;silicide;Schottky;barrier;inhomogeneities;I-V;characteristic;annealing;CONTACTS;STATES

摘要 ： The apparent Schottky barrier height (SBH) of the nickel silicide Schottky contacts annealed at different temperatures was investigated based on temperature dependence of I-V characteristic. Thermionic emission-diffusion (TED) theory, single Gaussian and

是否译文 ： 否