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第一作者 ： 楼曹鑫

发表时间 ： 2011-01-01

发表刊物 ： 苏州科技学院学报(自然科学版)

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

期号 ： 第4期

页面范围 ： 45-48，52

ISSN ： 1672-0687

关键字 ： 等离子体化学气相沉淀；退火；形貌；原子力显微镜；I-V

摘要 ： 研究了锗(Ge)量子点薄膜表面形貌随退火温度的变化及其相应的电学特性。以锗烷为主要反应气体,应用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在300℃温度、p-硅(100)基片上沉积了锗量子点薄膜,然后分别在400℃、500℃、600℃温度下退火。应用原子力显微镜(AFM)系统地观察了锗量子点薄膜的二维、三维图像,发现原位生长的锗量子点尺寸起伏大、薄膜表面比较粗糙。退火后,锗量子点分布趋于均匀,并且随退火温度的升高,量子点呈一定的取向排列,表面变得平整。通过电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试,发现锗

是否译文 ： 否