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第一作者 ： Huang, SH

发表时间 ： 2006-01-01

发表刊物 ： International Journal of Modern Physics B

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.20

期号 ： NO.2

页面范围 ： 133-140

ISSN ： 0217-9792

关键字 ： Ge/Si;quantum;wells;photocurrent;absorption;band;offset;HETEROSTRUCTURES;BAND;DOTS

摘要 ： Absorption spectra of Si0.6Ge0.4/Si quantum wells are characterized by photocurrent measurements. The absorption coefficients of two different transitions, namely the transition between the Si band states and the discrete energy level in quantum wells, an

是否译文 ： 否