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第一作者 ： 刘剑

发表时间 ： 2015-01-01

发表刊物 ： 半导体学报(英文版)

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： 第36卷

期号 ： 第4期

页面范围 ： 82-89

关键字 ： simulation；heterojunction；solar；cells；transport；properties

摘要 ： The basic parameters of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells,such as layer thickness,doping concentration,a-Si:H/c-Si interface defect density,and the work functions of the transparent conducting oxide（TCO） and back surface field（BSF） layer,are crucial

是否译文 ： 否