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申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 黄仕华

发明设计人 ： 黄仕华，黄玉清

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明公开了一种晶体硅体寿命的精确测量方法，该方法通过准稳态光电导法测少数载流子寿命，准稳态少子寿命测量法可以准确快速地得到硅片少子寿命的真实值，该有效少子寿命包括体寿命和表面复合寿命，在硅片表面复合情况相同的前提下，然后再通过公式计算得到硅片真实的体寿命，与通过光电导衰退法测得的体寿命值相近，这种准稳态光电导法测少子寿命，再计算得到真实体寿命的方法具有简单快速无污染等优点。

申请日期 ： 2017-01-05

申请号 ： 201710006436.5

公开日期 ： 2017-05-17

是否职务专利 ： 否