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申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 黄仕华

发明设计人 ： 黄仕华，刘剑，井维科

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明公开了一种低温诱导制备硅纳米线的方法，纳米线的生长温度为250~400  0 C，最优化的生长温度为350  0 C，随着温度的升高，纳米线的长度先增加后减少，当生长温度高于350  0 C，在硅纳米线的顶端形成较大的锡‑硅合金液滴，并且锡纳米线的长度开始减少，硅纳米线中存在一个混合的硅非晶和纳米晶相，且纳米晶相随着生长温度的升高而快速地增加。

申请日期 ： 2017-01-05

申请号 ： 201710006437.X

公开日期 ： 2017-06-13

是否职务专利 ： 否