点击量 ：

申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 黄仕华

发明设计人 ： 黄仕华，王佳，陈达，张若云

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明公开了一种基于石英籽晶的高性能多晶硅的生长方法，在用于多晶硅定向生长的坩埚底部开设若干V形槽；在坩埚内壁涂覆氮化硅涂层；在坩埚底部的凹槽内填入石英微细颗粒，至填满凹槽高度的30‑60%；在坩埚底部的石英微细颗粒上再次涂覆氮化硅层；按常规方法生长多晶硅。利用本发明生长的多晶硅材料，具有如下特点：位错聚集与扩散得到有效地抑制；角度随机分布的晶界比例大幅增加，而孪晶的比例大幅较少；平均少子寿命为10~13μs。

申请日期 ： 2017-11-21

申请号 ： 201711164477.3

公开日期 ： 2018-05-01

是否职务专利 ： 否