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申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 黄仕华

发明设计人 ： 黄仕华，陈达

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明提供了一种具有稳定阈值电阻转变特性的材料，其为具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜，膜的厚度为30‑80nm。一种动态随机存储器件，包括顶电极、阻变介质层、衬底和背电极，该阻变介质层为上述具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜。所述顶电极可以采用Cu为材料。本发明选用了COMS工艺兼容的技术来制备动态随机存储器件，制备过程主要采用了物理法沉积薄膜设备和退火设备。通过控制靶材二氧化硅和硅片的表面积比、生长时间、生长气压、电源功率、退火温度和时间等参数，达到人为控制纳米颗粒嵌入的氧化硅薄膜状态的目

申请日期 ： 2016-05-17

申请号 ： 201610325231.9

公开日期 ： 2018-10-09

授权日期 ： 2018-10-09

授权号 ： CN105932154B

是否职务专利 ： 否