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申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 孟秀清

发明设计人 ： 孟秀清，汤宁，方允樟，黄仕华，叶慧群，楼刚

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 一种二硫化钨单层薄膜的制备方法，采用CVD方法，以纯度为99.99％高纯三氧化钨作为钨源和纯度为99.9％高纯硫作为硫源，以纯度为99.999％的高纯氩气作为载气，以纯度为99.999％的氢气作为反应催化气体，以蓝宝石衬底作为反应衬底，制备而成。本发明具有简单易行、能获得大尺寸高质量二硫化钨薄膜材料的优点，是一种既经济实惠又简单的制备方法。

申请日期 ： 2016-05-23

申请号 ： 201610348875.X

公开日期 ： 2016-10-12

授权日期 ： 2018-03-20

授权号 ： CN106007796B

是否职务专利 ： 否