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第一作者 ： Liu Jian

发表时间 ： 2015-01-01

发表刊物 ： Journal of Semiconductors

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.36

期号 ： No.4

页面范围 ： 044010

ISSN ： 1674-4926

关键字 ： simulation;heterojunction;solar;cells;transport;properties

摘要 ： The basic parameters of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells, such as layer thickness, doping concentration, a-Si:H/c-Si interface defect density, and the work functions of the transparent conducting oxide (TCO) and back surface field (BSF) layer, are c

是否译文 ： 否