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第一作者 ： Da Chen

发表时间 ： 2016-01-01

发表刊物 ： Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS:

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.15

期号 ： No.3

页面范围 ： 035005

关键字 ： Data;storage;Doping;Hyper;Rayleigh;scattering;Oxygen;Silicon;Silicon;carbide;Resistance

摘要 ： Abstract. We first investigate the effect of oxygen-doping concentration on resistive switching (RS) behaviors in SiCxOy, which were prepared by a radio frequency magnetron sputtering at the oxygen partial pressure ranging from 0% to 6%. Bipolar RS behavi

是否译文 ： 否