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第一作者 ： Cheng Peihong

发表时间 ： 2014-01-01

发表刊物 ： Journal of Semiconductors

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.35

期号 ： No.10

页面范围 ： 103002

ISSN ： 1674-4926

摘要 ： The rapid thermal annealing (RTA) nano-crystallization method is widely used in the metal nanocrystal fabrication process. However, the high temperature (usually 600–900 °C) in the RTA process will worsen the performance and reliability of devices. A nove

是否译文 ： 否