点击量 ：

第一作者 ： 黄仕华

发表时间 ： 2006-01-01

发表刊物 ： 光子学报

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： 第35卷

期号 ： 第11期

页面范围 ： 1676-1679

ISSN ： 1004-4213

关键字 ： 锗硅量子阱；光电流谱；带间吸收边；外加电场

摘要 ： 利用光电流谱的方法对锗硅量子阱结构的带间吸收边进行了研究.实验观察到了在不同的偏压和温度下,锗硅量子阱结构的带间吸收边谱线发生了有规律的变化.通过对锗硅量子阱材料的光电流谱的带间跃迁吸收边的拟合,得到了硅导带到锗价带的能带宽度分别为1.043 eV和1.050 eV.随着外加电场的增强,带边的吸收曲线向低能方向移动.通过理论计算得到了带间跃迁吸收边的漂移量与外加电场的关系,并与实验吻合较好.随着温度的降低,带间吸收边向高能方向偏移,对于这一现象给出了定性的解释,并通过拟合得到了禁带宽度随温度的变化率.

是否译文 ： 否