• 其他栏目

    黄仕华

    • 教授 博士生导师 硕士生导师
    • 性别 : 男
    • 毕业院校 : 复旦大学
    • 学历 : 博士研究生毕业
    • 学位 : 博士学位
    • 在职信息 : 在岗
    • 所在单位 : 物理与电子信息工程学院
    • 入职时间 : 2004-07-01
    • 办公地点 : 校内科技楼(29幢)418室(靠西边)
    • 联系方式 : 通讯地址:浙江省金华市迎宾大道688号浙江师范大学数理信息学院 邮编:321004 Email:huangshihua@zjnu.cn 联系电话:0579-82298266(办公室),82298856(实验室)
    • Email :

    访问量 :

    最后更新时间 : ..

    Si/SiO<sub>2</sub>超晶格晶化特性影响因素分析

    点击量 :

    第一作者 : 寿莎

    发表时间 : 2008-01-01

    发表刊物 : 材料导报

    所属单位 : 数理与信息工程学院

    文献类型 : 期刊

    卷号 : 第22卷

    期号 : 第A2期

    页面范围 : 58-60

    ISSN : 1005-023X

    关键字 : Si/SiO<sub>2</sub>超晶格;纳米Si;退火

    摘要 : Si/SiO 2 超晶格是近年发展起来的一种新的Si基纳米结构,有着广阔的应用前景。该材料结构是通过选择合适的镀膜技术(如热反应蒸发、分子束外延),在衬底表面交替形成Si/SiO 2 纳米薄膜,对该结构热处理后形成Si/SiO 2 纳米结构。衬底温度、衬底材料、沉积薄膜厚度、应用的退火过程等均会影响超晶格中纳米Si的形成。具体分析了上述因素对形成纳米Si的影响。

    是否译文 :

    推荐此文