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第一作者 ： 丁澜

发表时间 ： 2010-01-01

发表刊物 ： 微纳电子技术

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

期号 ： 第11期

页面范围 ： 668-673

ISSN ： 1671-4776

关键字 ： SiGe纳米环；纳米机电系统；异质薄膜卷膜；纳米螺旋器件；纳米传感器

摘要 ： SiGe纳米环、纳米螺绕环具有优异的电学、力学等性质,已成为非常重要的三维半导体纳米材料,在传感器、纳米电子学及纳机电系统中具有广阔的应用前景。简单介绍了制备SiGe纳米环、纳米螺绕环的方法,包括化学气相沉积法、分子束外延法和脉冲激光法,并介绍了SiGe纳米环形成的主要原因和相关的应用。SiGe纳米环是在Si和Ge间的横向应力作用下形成的,这种纳米环的电导对纳米环的曲率和外加磁场非常敏感。在外加磁场恒定的情况下,电导随曲率的增大而逐渐减小;当达到某一临界点后,又随曲率的增大而逐渐增大。可以应用外加电压控制

是否译文 ： 否