点击量 ：

第一作者 ： 黄仕华

发表时间 ： 2014-01-01

发表刊物 ： 中国物理B(英文版)

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： 第23卷

期号 ： 第5期

页面范围 ： 612-616

ISSN ： 1674-1056

关键字 ： 磁控溅射；热退火；傅里叶变换红外光谱法；电学特性；薄膜结构；SiC晶体；硅纳米晶；FT-IR

摘要 ： Si-rich Sil-xCx/SiC multilayer thin films are prepared using magnetron sputtering, subsequently followed by thermal annealing in the range of 800-1200 ℃. The influences of annealing temperature （Ta） on the formation of Si and/or SiC nanocrystals （NCs） and

是否译文 ： 否