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第一作者 ： Huang Shi-Hua

发表时间 ： 2014-01-01

发表刊物 ： CHINESE PHYSICS B

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.23

期号 ： No.5

ISSN ： 1674-1056

关键字 ： SiC;magnetron sputtering;annealing;leakage current

摘要 ： Si-rich Si1-xCx/SiC multilayer thin films are prepared using magnetron sputtering, subsequently followed by thermal annealing in the range of 800-1200 degrees C. The influences of annealing temperature (T-a) on the formation of Si and/or SiC nanocrystals

是否译文 ： 否