黄仕华
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第一作者 : Wu Feng-Min
发表时间 : 2008-01-01
发表刊物 : Communications in Theoretical Physics
所属单位 : 数理与信息工程学院
文献类型 : 期刊
卷号 : Vol.50
期号 : No.1
页面范围 : 231-236
ISSN : 0253-6102
关键字 : heteroepitaxy;growth;mode;ES;barrier;kinetic;Monte;Carlo;simulation
摘要 : A realistic kinetic Monte Carlo (KMC) simulation model with physical parameters is developed, which well reproduces the heteroepitaxial growth of multilayered Ni thin film on Cu(100) surfaces at room temperature. The effects of mass transport between inte
是否译文 : 否