方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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专利

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一种制备灵敏度高和线性区宽磁敏材料的新方法

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申请专利人 : 浙江师范大学

第一作者姓名 : 郑金菊

发明设计人 : 郑金菊,方允樟,吴锋民,叶慧群,寇建龙,赵静,范晓珍,孙怀君

所属单位 : 数理与信息工程学院

专利类型 : 发明专利

专利说明 : 本发明公开了一种制备灵敏度高和线性区宽磁敏材料的新方法,与现有技术相比,利用本发明技术能够制备出同时具备宽线性区和高灵敏度两个优点的磁敏材料,具有工艺简单,便于控制的优点。需要控制的工艺参量少,具有便于调控材料性能的优点,具有节能的优点,无需提高处理温度或增加热处理时间,因此,本发明具有显著的节能优势,由于工艺简单,便于控制,因此要求的生产设备简单、造价低,且易于保证批量产品的一致性,所以,具有易于推广,便于产业化转化的优点。

申请日期 : 2016-01-14

申请号 : 201610022195.9

公开日期 : 2016-06-15

授权日期 : 2018-05-15

授权号 : CN105679486B

是否职务专利 :

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