方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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专利

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一种基于遗传算法的LED电极结构的优化系统及方法

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申请专利人 : 浙江师范大学

第一作者姓名 : 马云

发明设计人 : 马云,方允樟,李文忠,金林枫,范晓珍,叶慧群

所属单位 : 数理与信息工程学院

专利类型 : 发明专利

专利说明 : 本发明涉及一种基于遗传算法的LED电极结构的优化系统,包括分割模块、初始值赋值模块、编码模块、电极赋值模块和优化模块;还涉及一种基于遗传算法的LED电极结构的优化方法,包括,步骤A:根据LED芯片的尺寸大小将LED芯片的表面分割成多个等大的网格;步骤B:选定非电极状态,其所对应的代码统一作为各个网格中的初始值;步骤C:形成多个电极区域块;步骤D:对形成的电极区域块进行赋值,形成正电极区域块和负电极区域块;步骤E:对生成的电极区域块进行优化计算;本发明设计电极结构是不需要预先给定电极结构的大致图形,也不需要

申请日期 : 2015-04-22

申请号 : 201510195490.X

公开日期 : 2015-07-29

授权日期 : 2017-10-24

授权号 : CN104809285B

是否职务专利 :

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