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基本信息Personal Information
教授
性别 : 男
毕业院校 : 厦门大学
学历 : 博士研究生毕业
学位 : 博士学位
在职信息 : 在岗
所在单位 : 物理与电子信息工程学院
入职时间 : 2008年09月23日
办公地点 : 浙江师范大学29栋419B(电梯对面)
联系方式 : 13857986033(微信号)
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以SiO<sub>2</sub>为模板制备高比表面积g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>光催化剂<sup>*</sup>
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第一作者 : 余竞雄
发表时间 : 2017-01-01
发表刊物 : 浙江师范大学学报(自然科学版)
所属单位 : 数理与信息工程学院
文献类型 : 期刊
卷号 : 第40卷
期号 : 第1期
页面范围 : 36-42
ISSN : 1001-5051
关键字 : 石墨相氮化碳;高比表面积;光催化;纳米薄片结构;SiO2嵌入剂
摘要 : 比表面积大小是限制普通块状g-C3N4(Bulk-C3N4)光催化性能的重要因素,以三聚氰胺为原料,SiO2纳米粒子为嵌入剂,采用一种简便的方法制备出一种具有纳米片结构的高比表面积g-C3N4(HA-C3N4).同时使用X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶变化红外光谱(FT-IR)、氮气吸脱附(BET)、透射电镜(TEM)、紫外可见光谱(UV-vis)和荧光光谱(PL)等表征手段分析了所制备材料的结构、形貌特征、比表面积和光学性质.结果表明:所制备的HA-C3N4具备纳米薄片结构,其比表面积相比于Bulk-C
是否译文 : 否