Date of Publication:1999-01-01
Journal:化学物理学报
Affiliation of Author(s):数理与信息工程学院
Document Type:期刊
Volume:第12卷
Issue:第5期
Page Number: 537-543
ISSN No.:1674-0068
Key Words:丙烯腈；真空紫外；光电离；出现势；生成焓
Abstract:利用同步辐射真空紫外光和飞行时间质谱（TOF－MS），研究了丙烯腈的真空紫外光电离解离过程。通过测量各离子的光电离效率（PIE）曲线，获得了丙烯腈的电离势和各种碎片离子的出现势。分析了主要碎片离子的光电离解离通道，并结合有关热力学数据，算出它们的标准生成焓。并分析了它们的充电离解离通道及其随激发能量变化的竞争情况。实验发现，丙烯腈分子易丢失一个稳定的中性小分子HCN，而形成C_2H_2~＋，其通道是主要的光电离解离通道。
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