Hits :

First Author : 蒋洪奎

Affiliation of Author(s): 数理与信息工程学院

Date of Publication : 2009-01-01

Document Type : 期刊

Journal : 半导体光电

Issue : 第6期

Page Number : 904-906，922

ISSN : 1001-5868

Translation or Not : no

Key Words : 多孔硅；阳极氧化法；场电子发射

Abstract : 对采用阳极氧化法及阴极还原表面处理技术制备的性能稳定的纳米多孔硅,用原子力显微镜(AFM)表征了其微观结构,多孔硅颗粒粒径在30 nm左右。室温条件下测试了多孔硅场电子发射的特性,结果表明,多孔硅具有很好的场致发光性能,在5 V/μm的电场下就可以产生场发射电流。多孔硅的开启电压在1 000 V左右,发射电流随着电压的增大而不断增大,发射电压在2 000 V以上。