双晶片无基板压电加速度传感器
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申请专利人：浙江师范大学
第一作者：曾平
发明设计人：曾平，汪澎，温建明，王淑云，程光明，马继杰，张忠华
所属单位：数理与信息工程学院
专利类型：实用新型专利
专利说明：本实用新型提供一种双晶片无基板压电加速度传感器，属于一种加速度传感器。两片上下表面有银镀层的梯形压电晶片一和梯形压电晶片二通过导电胶合层粘接，信号输出电极的一端连接在靠近夹持端的导电胶合层处，信号输出电极的另一端与靠近夹持端的表层银镀层连接，质量块与梯形压电晶片的上底连接。优点是：结构强度得到了加强，压电陶瓷层可以产生更多的电荷，从而增加信号强度，节省了成本。
申请日期：2012-05-19
申请号：201220225668.2
公开日期：2012-12-05
授权日期：2012-12-05
授权号：CN202582711U
是否职务专利：否