Patent Applicant:浙江师范大学
First Author:彭保进
Disigner of the Invention:彭保进，应朝福，万旭，叶晶，刘蕴涛
Affilication of Author(s):数理与信息工程学院
Type of Patent:发明专利
Patent Description:本发明涉及一种真空蒸镀制合金薄膜用SiO 2 基片清洗方法。它是(1)将     基片抛光粉打磨；(2)放置于配比为：氨水∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～     3∶5～6的清洗液,煮沸10～20分钟,再用去离子水冲洗干净；(3)再置于容     器中加入比为：盐酸∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～3∶8～10的清洗液中,     同样煮沸10～12分钟后用去离子水冲洗干净；(4)再放入超声波清洗机中,     用去离子水为清洗介质,采用常温和控制在50～75℃超声波抛动清洗和无     超声波抛
Application Date:2008-09-04
Application Number:200810120429.9
Publication Date:2010-03-10
Service Invention or Not:no