First Author:石福权
Date of Publication:2017-01-01
Journal:光电子·激光
Affiliation of Author(s):数理与信息工程学院
Document Type:期刊
Volume:第28卷
Issue:第12期
Page Number: 1290-1295
ISSN No.:1005-0086
Key Words:单模-无芯-单模(S-N-S)结构；磁流体(MF)；无芯光纤(NCF)；保偏光纤(PMF)；Sagnac环；灵敏度
Abstract:实现了一种基于磁流体(MF)磁致折变效应的新型光纤Sagnac磁场传感器。在单模-无芯-单模(S-N-S)结构中,当外界折射率小于且接近无芯光纤(NCF)的折射率时,NCF可以看作阶跃型的多模光纤(MMF)。实验测量了传感器在不同外界磁场强度下的透射光谱,研究了其磁场传感特性。结果表明,由于MF的磁致折变效应,随着垂直于传感器方向的外界磁场强度的增加,环绕NCF的MF折射率减小,从而引起透射谱的干涉峰光强增加。整个实验装置处于室温20℃,在波长1 557.5nm处,磁场传感灵敏度为0.33dB/mT;在波
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