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姓名:
马云
性别:
男
入职时间:
2011-08-23
在职信息:
在岗
职称:
实验师
单位:
物理与电子信息工程学院
毕业院校:
浙江师范大学
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一种倒装高压LED芯片电极及芯片制造方法
点击量:
所属单位:
数理与信息工程学院
专利类型:
发明专利
申请号:
201510975827.9
申请日期:
2015-12-22
授权号:
CN105449084B
作者姓名:
李文忠
申请专利人:
浙江师范大学
发明设计人:
李文忠,马云,方允樟,金林枫,叶慧群
公开日期:
2016-03-30
授权日期:
2018-06-29
是否职务专利:
否
专利说明:
本发明公开了一种倒装高压LED芯片电极及芯片制造方法,包括衬底和外延层,外延层包括P型氮化镓层、量子阱区和N型氮化镓层,外延层上设置有彼此独立的单元芯片,每个单元芯片形成图案化的P型氮化镓平台和N型氮化镓平台,两组以上单元芯片构成一个高压芯片单元,P型氮化镓平台和N型氮化镓平台均采用金属电极互联,金属电极包括P型金属反射电极、P-N互联电极、N型金属电极以及焊盘电极,P型氮化镓平台到N型氮化镓平台的侧壁以及单元芯片互联的深槽区均采用DBR结构连接。本发明提高芯片的出光率以及增大封装芯片焊盘的接触面积,增强
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一种倒装高压LED芯片
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