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姓名：
马云
性别：
男
入职时间：
2011-08-23
在职信息：
在岗
职称：
实验师
单位：
物理与电子信息工程学院
毕业院校：
浙江师范大学
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当前位置:
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>> 退火温度对ITO薄膜...
退火温度对ITO薄膜电导率的影响
点击量:
作者：
孟庆哲
所属单位：
数理与信息工程学院
文献类型：
期刊
发表时间：
2013-01-01
发表刊物：
材料科学
期号：
第1期
Issn号：
0379-6906
是否译文：
否
关键字：
氧化铟锡(ITO)；快速退火(RTA)；电导率
摘要：
采用电子束蒸镀技术研究ITO薄膜的电导率与热处理(RTA)温度的关系。利用XRD分析薄膜的相结构，用SEM观测薄膜的显微结构，利用Hall测试仪测量薄膜的电学性能。结果表明，退火后ITO薄膜的结晶度得到明显改善，晶相择优生长，晶粒尺寸变大，薄膜电导率随退火温度的上升先升高后下降。经过520℃退火15 min时，制备的薄膜样品电导率最大。
上一条：
退火工艺对Fe基薄带纵向驱动应力阻抗效应的影响
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