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Patent Applicant : 浙江师范大学

First Author : 何兴伟

Disigner of the Invention : 何兴伟，方允樟，李文忠，马云，金林枫

Affilication of Author(s) : 数理与信息工程学院

Type of Patent : 发明专利

Description of the Invention : 本发明涉及一种底层埋入式微米级三维薄膜电感器及其制造方法，本发明提出了底层埋入式的概念，即在底导线层光刻实现后不直接镀膜，而是采用刻蚀的方法使衬底下凹，再镀膜，将底导线层斜纹埋入凹槽，并通过控制厚度，让底导线层斜纹的顶部与衬底基本持平。然后在该平面上依次镀绝缘层、磁芯层、绝缘层、顶条纹导线层。通过纯光刻法，实现结构优良的三维薄膜电感器。并将尺寸减小到微米级。同时又保证生长的底导线层上平面与衬底面持平，使得其后的膜层生长在水平面上。成功的避免了磁性层的弯曲及各层在垂直平面方向部分交叠的情况，结构上达到了膜层

Application Date : 2015-12-09

Application Number : 201510906003.6

Publication Date : 2016-03-23

Issue Date : 2018-03-30

Authorization number : CN105428034B

Service Invention or Not : no