Hits :

Patent Applicant : 浙江师范大学

First Author : 李文忠

Disigner of the Invention : 李文忠，马云，方允樟，金林枫，叶慧群

Affilication of Author(s) : 数理与信息工程学院

Type of Patent : 发明专利

Description of the Invention : 本发明公开了一种倒装高压LED芯片电极及芯片制造方法，包括衬底和外延层，外延层包括P型氮化镓层、量子阱区和N型氮化镓层，外延层上设置有彼此独立的单元芯片，每个单元芯片形成图案化的P型氮化镓平台和N型氮化镓平台，两组以上单元芯片构成一个高压芯片单元，P型氮化镓平台和N型氮化镓平台均采用金属电极互联，金属电极包括P型金属反射电极、P-N互联电极、N型金属电极以及焊盘电极，P型氮化镓平台到N型氮化镓平台的侧壁以及单元芯片互联的深槽区均采用DBR结构连接。本发明提高芯片的出光率以及增大封装芯片焊盘的接触面积，增强

Application Date : 2015-12-22

Application Number : 201510975827.9

Publication Date : 2016-03-30

Issue Date : 2018-06-29

Authorization number : CN105449084B

Service Invention or Not : no