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First Author : 孟庆哲

Affiliation of Author(s): 数理与信息工程学院

Date of Publication : 2013-01-01

Document Type : 期刊

Journal : 材料科学

Issue : 第1期

ISSN : 0379-6906

Translation or Not : no

Key Words : 氧化铟锡(ITO)；快速退火(RTA)；电导率

Abstract : 采用电子束蒸镀技术研究ITO薄膜的电导率与热处理(RTA)温度的关系。利用XRD分析薄膜的相结构，用SEM观测薄膜的显微结构，利用Hall测试仪测量薄膜的电学性能。结果表明，退火后ITO薄膜的结晶度得到明显改善，晶相择优生长，晶粒尺寸变大，薄膜电导率随退火温度的上升先升高后下降。经过520℃退火15 min时，制备的薄膜样品电导率最大。