一种倒装高压LED芯片电极及芯片制造方法
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申请专利人：浙江师范大学
第一作者：李文忠
发明设计人：李文忠，马云，方允樟，金林枫，叶慧群
所属单位：数理与信息工程学院
专利类型：发明专利
专利说明：本发明公开了一种倒装高压LED芯片电极及芯片制造方法，包括衬底和外延层，外延层包括P型氮化镓层、量子阱区和N型氮化镓层，外延层上设置有彼此独立的单元芯片，每个单元芯片形成图案化的P型氮化镓平台和N型氮化镓平台，两组以上单元芯片构成一个高压芯片单元，P型氮化镓平台和N型氮化镓平台均采用金属电极互联，金属电极包括P型金属反射电极、P-N互联电极、N型金属电极以及焊盘电极，P型氮化镓平台到N型氮化镓平台的侧壁以及单元芯片互联的深槽区均采用DBR结构连接。本发明提高芯片的出光率以及增大封装芯片焊盘的接触面积，增强
申请日期：2015-12-22
申请号：201510975827.9
公开日期：2016-03-30
授权日期：2018-06-29
授权号：CN105449084B
是否职务专利：否
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