退火温度对ITO薄膜电导率的影响
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第一作者：孟庆哲
发表时间：2013-01-01
发表刊物：材料科学
所属单位：数理与信息工程学院
文献类型：期刊
期号：第1期
ISSN号：0379-6906
关键字：氧化铟锡(ITO)；快速退火(RTA)；电导率
摘要：采用电子束蒸镀技术研究ITO薄膜的电导率与热处理(RTA)温度的关系。利用XRD分析薄膜的相结构，用SEM观测薄膜的显微结构，利用Hall测试仪测量薄膜的电学性能。结果表明，退火后ITO薄膜的结晶度得到明显改善，晶相择优生长，晶粒尺寸变大，薄膜电导率随退火温度的上升先升高后下降。经过520℃退火15 min时，制备的薄膜样品电导率最大。
是否译文：否