HF在α-AlF<sub>3</sub>（0001）表面吸附的密度泛函理论研究
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第一作者：刘瑞
发表时间：2013-01-01
发表刊物：物理化学学报
所属单位：物理化学研究所
文献类型：期刊
期号：第2期
页面范围：271-278
ISSN号：1000-6818
关键字：氟化氢；α-AlF<sub>3</sub>（0001）；密度泛函理论；差分电荷密度；电子态密度
摘要：利用密度泛函理论系统研究了不同覆盖度下HF在3F、2F、1F与AI终端的α-AIF 3 （0001）表面的吸附行为,分析了HF与不同终端表面相互作用的电子机制.计算结果表明:HF在3F终端的α-AIF 3 （0001）表面物理吸附;在2F及1F终端表面化学吸附,形成AI—F键和FHF结构,使HF分子活化,可以参加下一步的氟化反应;在AI终端表面解离吸附形成AI—F与AI—H键.3F、2F、1F及AI终端表面配位不饱和数目分别为0、1、2与3配位.不同覆盖度研究表明,在2F终端表面上,吸附一个HF分子使表面
是否译文：否